1.5v ddr2 sdram fbdimm mt18gtf25672fdy C 2gb features ? 240-pin, fully buffered dimm (fbdimm) ? very low-power ddr2 operation ? 1.425v v dd 1.625v for both the ddr2 sdram and the advanced memory buffer (amb) dram i/o ? v dd = 1.50v ? 1.8v tolerant for 100ms ? dual rank ? component configuration: 128 meg x 8 functionality this 1.5v fbdimm consumes less power than the standard 1.8v fbdimm. the low-voltage fbdimm has the same timing and op- erating parameters as standard fbdimm devices. un- regulated power rails enable maximum power conser- vation. the module can be powered on at 1.8v for up to 100ms to enable system initialization and module volt- age configuration. except where stated in this data sheet, information in the corresponding 1.8v ddr2 fbdimm data sheet is directly applicable to the 1.5v ddr2 fbdimm. for component specifications, refer to the 1.5v ddr2 sdram component data sheet. figure 1: 240-pin fbdimm (mo-256 r/c b) module height: 30.35mm (1.19in) options marking ? package C 240-pin dimm (lead-free) y ? frequency/cl 1 C 3.0ns @ cl = 5 (ddr2-667) -667 note: 1. cl = cas (read) latency. table 1: key timing parameters speed grade industry nomenclature data rate (mt/s) t rcd (ns) t rp (ns) t rc (ns) cl = 5 cl = 4 cl = 3 -667 pc2-5300 667 553 400 15 15 55 -53e pc2-4200 C 553 400 15 15 55 table 2: addressing parameter 2gb refresh count 8k row address 16k a[13:0] device bank address 8 ba[2:0] device configuration 1gb (128 meg x 8) column address 1k a[9:0] module rank address 2 s#[1:0] 2gb (x72, dr) 240-pin ddr2 sdram fbdimm features pdf: 09005aef82b6453f gtf18c256x72fdy.pdf - rev. d 12/09 en 1 micron technology, inc. reserves the right to change products or specifications without notice. ? 2007 micron technology, inc. all rights reserved. products and specifications discussed herein are subject to change by micron without notice.
table 3: part numbers and timing parameters C 2gb base device: mt47j256m4, 1 1gb ddr2 sdram part number 2 module density configuration module bandwidth memory clock/ data rate clock cycles (cl- t rcd- t rp) link transfer rate mt18gtf25672fdy-667__ 2gb 256 meg x 72 pc2-5300 3.0ns/667 mt/s 5-5-5 4.0 gt/s notes: 1. data sheets for the base device can be found on microns web site. 2. all part numbers end with a four-place code (not shown) that designates component, amb vendor, and pcb revisions. consult factory for current revision codes. example: mt18gtf25672fdy-667 e1d4. 2gb (x72, dr) 240-pin ddr2 sdram fbdimm features pdf: 09005aef82b6453f gtf18c256x72fdy.pdf - rev. d 12/09 en 2 micron technology, inc. reserves the right to change products or specifications without notice. ? 2007 micron technology, inc. all rights reserved.
pin assignments and descriptions table 4: pin assignments 240-pin fbdimm front 240-pin fbdimm back pin symbol pin symbol pin symbol pin symbol pin symbol pin symbol pin symbol pin symbol 1 v dd 31 pn3 61 pn9# 91 ps9# 1 121 v dd 151 sn3 181 sn9# 211 ss9# 1 2 v dd 32 pn3# 62 v ss 92 v ss 122 v dd 152 sn3# 182 v ss 212 v ss 3 v dd 33 v ss 63 pn10 93 ps5 123 v dd 153 v ss 183 sn10 213 ss5 4 v ss 34 pn4 64 pn10# 94 ps5# 124 v ss 154 sn4 184 sn10# 214 ss5# 5 v dd 35 pn4# 65 v ss 95 v ss 125 v dd 155 sn4# 185 v ss 215 v ss 6 v dd 36 v ss 66 pn11 96 ps6 126 v dd 156 v ss 186 sn11 216 ss6 7 v dd 37 pn5 67 pn11# 97 ps6# 127 v dd 157 sn5 187 sn11# 217 ss6# 8 v ss 38 pn5# 68 v ss 98 v ss 128 v ss 158 sn5# 188 v ss 218 v ss 9 v cc 39 v ss 69 v ss 99 ps7 129 v cc 159 v ss 189 v ss 219 ss7 10 v cc 40 pn13 1 70 ps0 100 ps7# 130 v cc 160 sn13 1 190 ss0 220 ss7# 11 v cc 41 pn13# 1 71 ps0# 101 v ss 131 v cc 161 sn13# 1 191 ss0# 221 v ss 12 v cc 42 v ss 72 v ss 102 ps8 132 v cc 162 v ss 192 v ss 222 ss8 13 v cc 43 v ss 73 ps1 103 ps8# 133 v cc 163 v ss 193 ss1 223 ss8# 14 v ss 44 dnu 74 ps1# 104 v ss 134 v ss 164 dnu 194 ss1# 224 vss 15 v tt 45 dnu 75 v ss 105 nc 135 v tt 165 dnu 195 v ss 225 dnu 16 dnu 46 v ss 76 ps2 106 nc 136 vid0 166 v ss 196 ss2 226 dnu 17 reset# 47 v ss 77 ps2# 107 v ss 137 m_test (dnu) 167 v ss 197 ss2# 227 v ss 18 v ss 48 pn12 1 78 v ss 108 v dd 138 v ss 168 sn12 1 198 v ss 228 sck 19 dnu 49 pn12# 1 79 ps3 109 v dd 139 dnu 169 sn12# 1 199 ss3 229 sck# 20 dnu 50 v ss 80 ps3# 110 v ss 140 dnu 170 v ss 200 ss3# 230 v ss 21 v ss 51 pn6 81 v ss 111 v dd 141 v ss 171 sn6 201 v ss 231 v dd 22 pn0 52 pn6# 82 ps4 112 v dd 142 sn0 172 sn6# 202 ss4 232 v dd 23 pn0# 53 v ss 83 ps4# 113 v dd 143 sn0# 173 v ss 203 ss4# 233 v dd 24 v ss 54 pn7 84 v ss 114 v ss 144 v ss 174 sn7 204 v ss 234 v ss 25 pn1 55 pn7# 85 v ss 115 v dd 145 sn1 175 sn7# 205 v ss 235 v dd 26 pn1# 56 v ss 86 dnu 116 v dd 146 sn1# 176 v ss 206 dnu 236 v dd 27 v ss 57 pn8 87 dnu 117 v tt 147 v ss 177 sn8 207 dnu 237 v tt 28 pn2 58 pn8# 88 v ss 118 sa2 148 sn2 178 sn8# 208 v ss 238 v ddspd 29 pn2# 59 v ss 89 v ss 119 sda 149 sn2# 179 v ss 209 v ss 239 sa0 30 v ss 60 pn9 90 ps9 1 120 scl 150 v ss 180 sn9 210 ss9 1 240 sa1 note: 1. the following signals are cyclical redundancy code (crc) bits and appear out of normal sequence: pn12/pn12#, sn12/sn12#, pn13/pn13#, sn13/sn13#, ps9/ps9#, and ss9/ss9#. 2gb (x72, dr) 240-pin ddr2 sdram fbdimm pin assignments and descriptions pdf: 09005aef82b6453f gtf18c256x72fdy.pdf - rev. d 12/09 en 3 micron technology, inc. reserves the right to change products or specifications without notice. ? 2007 micron technology, inc. all rights reserved.
table 5: pin descriptions symbol type description ps[9:0] input primary southbound data, positive lines. ps#[9:0] input primary southbound data, negative lines. sck input system clock input, positive line. sck# input system clock input, negative line. scl input serial presence-detect (spd) clock input. ss[9:0] input secondary southbound data, positive lines. ss#[9:0] input secondary southbound data, negative lines. pn[13:0] output primary northbound data, positive lines. pn#[13:0] output primary northbound data, negative lines. sn[13:0] output secondary northbound data, positive lines. sn#[13:0] output secondary northbound data, negative lines. vid0 output voltage identification, connected to v ss . indicates 1.5v dram present on module. sa[2:0] i/o spd address inputs, also used to select the fbdimm number in the amb. sda i/o spd data input/output. reset# supply amb reset signal. v cc supply amb core power and amb channel interface power (1.5v). v dd supply dram power and amb dram i/o power (1.5v). v tt supply dram clock, command, and address termination power (v dd /2). v ddspd supply spd/amb smbus power. v ss supply ground. m_test C the m_test pin provides an external connection for testing the margin of v ref , which is pro- duced by a voltage divider on the module. it is not intended to be used in normal system operation and must not be connected (dnu) in a system. this test pin may have other fea- tures on future card designs and will be included in this specification at that time. dnu C do not use. 2gb (x72, dr) 240-pin ddr2 sdram fbdimm pin assignments and descriptions pdf: 09005aef82b6453f gtf18c256x72fdy.pdf - rev. d 12/09 en 4 micron technology, inc. reserves the right to change products or specifications without notice. ? 2007 micron technology, inc. all rights reserved.
functional block diagram figure 2: functional block diagram dq dq dq dq dq dq dq dq dq0 dq1 dq2 dq3 dq4 dq5 dq6 dq7 dm/ cs# dqs dqs# rdqs u1 dq dq dq dq dq dq dq dq dm/ cs# dqs dqs# rdqs u19 dq dq dq dq dq dq dq dq dq32 dq33 dq34 dq35 dq36 dq37 dq38 dq39 dm/ cs# dqs dqs# rdqs u6 dq dq dq dq dq dq dq dq dm/ cs# dqs dqs# rdqs u13 dqs0 dqs0# dm0 dqs4 dqs4# dm4 dq dq dq dq dq dq dq dq dq8 dq9 dq10 dq11 dq12 dq13 dq14 dq15 dm/ cs# dqs dqs# rdqs u18 dq dq dq dq dq dq dq dq dm/ cs# dqs dqs# rdqs u2 dq dq dq dq dq dq dq dq dq40 dq41 dq42 dq43 dq44 dq45 dq46 dq47 dm/ cs# dqs dqs# rdqs u12 dq dq dq dq dq dq dq dq dm/ cs# dqs dqs# rdqs u7 dqs5 dqs5# dm5 dq dq dq dq dq dq dq dq dq16 dq17 dq18 dq19 dq20 dq21 dq22 dq23 dm/ cs# dqs dqs# rdqs u3 dq dq dq dq dq dq dq dq dm/ cs# dqs dqs# rdqs u17 dq dq dq dq dq dq dq dq dq48 dq49 dq50 dq51 dq52 dq53 dq54 dq55 dm/ cs# dqs dqs# rdqs u8 dq dq dq dq dq dq dq dq dm/ cs# dqs dqs# rdqs u11 dqs2 dqs2# dm2 dqs6 dqs6# dm6 dq dq dq dq dq dq dq dq dq24 dq25 dq26 dq27 dq28 dq29 dq30 dq31 dm/ cs# dqs dqs# rdqs u16 dq dq dq dq dq dq dq dq dm/ cs# dqs dqs# rdqs u4 dq dq dq dq dq dq dq dq dq56 dq57 dq58 dq59 dq60 dq61 dq62 dq63 dm/ cs# dqs dqs# rdqs u10 dq dq dq dq dq dq dq dq dm/ cs# dqs dqs# rdqs u9 dqs7 dqs7# dm7 dq dq dq dq dq dq dq dq cb0 cb1 cb2 cb3 cb4 cb5 cb6 cb7 dm/ cs# dqs dqs# rdqs u14 dq dq dq dq dq dq dq dq dm/ cs# dqs dqs# rdqs u15 dqs8 dqs8# dm8 a0 spd eeprom a1 a2 sa0 sa1 sa2 sda scl wp a m b sn[13:0] sn#[13:0] ss[9:0] ss#[9:0] a[15:0] ras#, cas# we#, odt0 cs0#, cs1# cke0, cke1 ck0, ck0# ck1, ck1# pn[13:0] pn#[13:0] ps[9:0] ps#[9:0] dq[63:0] dqs[8:0] dqs#[8:0] cb[7:0] dm[8:0] scl sda sa0 sa[2:] sck, sck# reset# v ref v ss v dd ddr2 sdram v ddspd spd eeprom, amb u20 command, address, and clock signals to ddr2 channel u1Cu4, u6Cu9, u10Cu19 data input/output signals to ddr2 channel u1Cu4, u6Cu9, u10Cu19 v tt v cc terminators amb ddr2 sdram spd eeprom, amb ddr2 sdram u5 cs1# cs0# dqs1 dqs1# dm5 dqs3 dqs3# dm5 out to controller in from adjacent fbdimm in from controller out to adjacent fbdimm v ss v tt ck0, ck0#, ck1, ck1#, odt0, cs0#, cke0, ras#, cas#, we#, a[15:0], ba[2:0] clock, command, and address line terminations: 2gb (x72, dr) 240-pin ddr2 sdram fbdimm functional block diagram pdf: 09005aef82b6453f gtf18c256x72fdy.pdf - rev. d 12/09 en 5 micron technology, inc. reserves the right to change products or specifications without notice. ? 2007 micron technology, inc. all rights reserved.
electrical specifications stresses greater than those listed may cause permanent damage to the module. this is a stress rating only, and functional operation of the module at these or any other condi- tions outside those indicated in each devices data sheet is not implied. exposure to absolute maximum rating conditions for extended periods may adversely affect reliability. table 6: absolute maximum ratings parameter symbol min max units notes voltage on any signal pin relative to v ss v in , v out C0.3 1.75 v 1 voltage on v cc pin relative to v ss v cc C0.3 1.75 v voltage on v dd pin relative to v ss v dd C0.5 1.8 v voltage on v tt pin relative to v ss v tt C0.5 1.8 v ddr2 sdram device operating case temperature t c 0 95 c 2, 3 amb device operating case temperature 0 110 c notes: 1. v in should not be greater than v cc . 2. t c is specified at 95c only when using 2x refresh timing ( t refi = 7.8s at or below 85c; t refi = 3.9s above 85c); refer to the ddr2 sdram component data sheet. 3. see the applicable ddr2 sdram component data sheet for t refi and extended mode register settings. the t refi parameter is used to specify the doubled refresh interval nec- essary to sustain <85c operation. table 7: input dc voltage and operating conditions parameter symbol min nom max units notes amb supply voltage v cc 1.455 1.5 1.575 v ddr2 sdram supply voltage v dd 1.425 1.5 1.625 v 1 termination voltage v tt 0.48 v dd 0.5 v dd 0.52 v dd v eeprom supply voltage v ddspd 3.0 C 3.6 v 2 spd input high (logic 1) voltage v ih(dc) 2.1 C v ddspd v 3 spd input low (logic 0) voltage v il(dc) C0.6 C +0.8 v 3 reset input high (logic 1) voltage v ih(dc) 1.0 C C v 4 reset input low (logic 0) voltage v il(dc) C C 0.5 v 3 leakage current (reset) i l C90 C +90 a 4 leakage current (link) i l C5 C +5 a 5 notes: 1. during the initial power ramp, v dd may exceed v dd (max) and be as high as 1.8v for up to 100ms prior to the start of the dram initialization process. the 100ms of excess v dd voltage time must be less than 0.01% of the total dram powered-up time. 2. applies to amb and spd. 3. applies to smbus and spd bus signals. 4. applies to amb cmos signal reset#. 5. for all other amb-related dc parameters, refer to the high-speed differential link inter- face specification. 2gb (x72, dr) 240-pin ddr2 sdram fbdimm electrical specifications pdf: 09005aef82b6453f gtf18c256x72fdy.pdf - rev. d 12/09 en 6 micron technology, inc. reserves the right to change products or specifications without notice. ? 2007 micron technology, inc. all rights reserved.
serial presence-detect data for the latest serial presence-detect data, refer to microns spd page: www.micron.com/ spd . 2gb (x72, dr) 240-pin ddr2 sdram fbdimm electrical specifications pdf: 09005aef82b6453f gtf18c256x72fdy.pdf - rev. d 12/09 en 7 micron technology, inc. reserves the right to change products or specifications without notice. ? 2007 micron technology, inc. all rights reserved.
module dimensions figure 3: 240-pin ddr2 fbdimm 30.5 (1.201) 30.2 (1.189) pin 1 17.3 (0.681) typ 2.60 (0.102) d (2x) 5.2 (0.205) typ 5.0 (0.197) typ 123.0 (4.843) typ 1.0 (0.039) typ 0.80 (0.031) typ 1.5 (0.059) r (4x) 0.75 (0.03) r pin 120 front view 133.50 (5.256) 133.20 (5.244) 67.0 (2.638) typ 51.0 (2.01) typ 9.5 (0.374) typ back view pin 240 pin 121 1.25 (0.0492) typ 66.68 (2.63) typ 0.595 (0.0234) r 2.0 (0.079) typ 3.9 (0.153) typ (x2) 120 (2x) 2.18 (0.086) typ 74.68 (2.94) typ 3.05 (0.120) typ 66.68 (2.63) typ 24.95 (0.982) typ detail a detail a 1.19 (0.047) 1.06 (0.042) 1.06 (0.042) 45 x 0.18 (0.0071) 0.5 (0.02) r (4x) 0.75 (0.030) r 8x 9.9 (0.39) typ (x4) front view with heat spreader back view with heat spreader 3.1 (0.122) typ 5.48 (0.216) typ u1 u20 u2 u3 u4 u5 u6 u7 u8 u9 u10 u11 u12 u13 u14 u15 u16 u17 u18 u19 u20 u1 u2 u3 u4 u5 u6 u7 u8 u9 u10 u11 u12 u13 u14 u15 u16 u17 u18 u19 1.37 (0.054) 1.17 (0.046) 5.1 (0.201) max 7.68 (0.302) max* 1.37 (0.054) 1.17 (0.046) *including clip radius 7.92 (0.312) max notes: 1. all dimensions are in millimeters (inches); max/min or typical (typ) where noted. 2. the dimensional diagram is for reference only. 2gb (x72, dr) 240-pin ddr2 sdram fbdimm module dimensions pdf: 09005aef82b6453f gtf18c256x72fdy.pdf - rev. d 12/09 en 8 micron technology, inc. reserves the right to change products or specifications without notice. ? 2007 micron technology, inc. all rights reserved.
8000 s. federal way, p.o. box 6, boise, id 83707-0006, tel: 208-368-3900 www.micron.com/productsupport customer comment line: 800-932-4992 micron and the micron logo are trademarks of micron technology, inc. all other trademarks are the property of their respective owners. this data sheet contains minimum and maximum limits specified over the power supply and temperature range set forth herein. although considered final, these specifications are subject to change, as further product development and data characterization some- times occur. 2gb (x72, dr) 240-pin ddr2 sdram fbdimm module dimensions pdf: 09005aef82b6453f gtf18c256x72fdy.pdf - rev. d 12/09 en 9 micron technology, inc. reserves the right to change products or specifications without notice. ? 2007 micron technology, inc. all rights reserved.
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